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WO3的熔点为1469℃，随着晶体的不断生长，功率降低，上保温屏中间处的温度降低到WO3的熔点以下，WO3在此处沉积。挥发物在生长到2kg左右时，可完全堵塞窗口。此时的功率在70kW左右，此处的温度降低到827℃左右，MoO3在此处沉积。在晶体生长前期，挥发物沉积会堵掉部分观察窗，使上部散热量减少，导致晶体无法放肩甚产生回熔；在晶体生长后期，挥发物会完全堵掉观察窗，造成炉内温度升高，坩埚底部温度梯度减小，容易造成晶体尾部过快生长，产生粘锅及气泡，影响晶体整体品质。

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推挽式（Push-PullConverter）和半桥式（Half-BridgeConverter）四种。四管DC/DC换器是全桥DC/DC转换器（Full-Bridge Converter）。隔离式DC/DC转换器也可以按有源率器件的个数来分类。单管的DC/DC转换器有正激式（Forward）和反激式（Flyback）两种。双管反激式（DoubleTransistrFlybackConverter）双管DC/DC转换器有双管正激式（DoubleTransistorForwardConverter）。其特征在于经氩气输入管 Pa，氩气流量为30L/min。上述技术方案中。且可减少热能及氩气消耗的直拉式单晶生长炉。实现本发明目的的技术方案是一种直拉式单晶生长炉，其包括氩气输入管。本发明的目的是一种易于及时排出炉内的混合气体发明内容与氩气输入管相连通的环形气体分布器还包括设于直拉式单晶生长炉的坩埚支持器下方和该部的排气口之间的气流导向装置该炉的石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔所述气流导向装置的中轴孔与该炉的石墨中轴活动密封连接所述气流导向装置的上端部的外壁与该炉的保温筒密封连接所述气流导向装置由石墨制成经氩气输入管输入的氩气气压为0.8x103pa0.9xl03Pa且利于在硅单晶生长过程中单晶分子排列结构的整齐性且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石墨中轴及一对电极孔配合设置由于该炉的排气口与气流导向装置的各通气孔相连通既有效地防止了一氧化硅气体对加热器和坩埚支持器等石墨器件的腐蚀另外还可对硅晶体的生长过程起到稳定作用。