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电阻系数小，耐腐蚀，易于精密机等优点。本发明具有积极的效果(1)本发明的直拉式单晶生长炉中，经氩气 输入管输入的氩气气压为0. 8 x 103pa0. 9 x l03Pa，氩气流量为30L/min。 该氩气流量不但不影响该炉中单晶的生长，平均每个直拉式单晶生长炉每 天可少消耗1440L氩气，有效降低了生产成本，且利于在硅单晶生长过程 中单晶分子排列结构的整齐性，还利于提高电阻率的均布性。

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