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其特征在于经氩气输入管输入的氩气气压为0.8xl03Pa0.9xl03Pa，氩气流量为30L/min。上述技术方案中。且可减少热能及氩气消耗的直拉式单晶生长炉。实现本发明目的的技术方案是一种直拉式单晶生长炉，其包括氩气输入管。本发明的目的是一种易于及时排出炉内的混合气体发明内容与氩气输入管相连通的环形气体分布器还包括设于直拉式单晶生长炉的坩埚支持器下方和该部的排气口之间的气流导向装置该炉的石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔所述气流导向装置的中轴孔与该炉的石墨中轴活动密封连接所述气流导向装置的上端部的外壁与该炉的保温筒密封连接所述气流导向装置由石墨制成经氩气输入管输 a且利于在硅单晶生长过程中单晶分子排列结构的整齐性且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石墨中轴及一对电极孔配合设置由于该炉的排气口与气流导向装置的各通气孔相连通既有效地防止了一氧化硅气体对加热器和坩埚支持器等石墨器件的腐蚀另外还可对硅晶体的生长过程起到稳定作用。

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其包括设于气流导向装 置(20)底部的中轴孔(2-1)，设于所述中轴孔(2-1)两侧的一对电 极孔(2-2)，以及设于所述中轴孔(2-1)两侧并与该炉的排气口 (13)相 对的通气孔(2-3)，该炉的石墨中轴(21)穿过所疼气流导向装置(20) 的中轴孔(2-1)，该炉的一对电极柱(15)分别穿过所述电极孔(2-2)， 该炉的排气口 (13)与气流导向装置(20)的各通气孔(2-3)相连通。然后从 该炉上端充入氩气。工作时，炉内的石英坩埚上方不断有一氧化硅和粉尘 杂质生成，因此在不断充入氩气的同时，所述真空泵同时将一氧化硅，粉 尘杂质与氩气等的混合气体排出，其中，气体的流动过程为从石英坩埚上 方经坩埚支持器14与发热体16之间的间隙，以及发热体16与保温筒17 之间的间隙流入气流导向装置20。由设于排气口 13上的真空泵将炉内空气排尽在该炉工作前然后经图6中的气流导向装置20的一对 通气孔2-3既有效地防止了一氧化硅气体对 加热器7和坩埚支持器14等石墨器件的腐蚀，还可有效防止杂质粉尘吸附 在这些石墨器件上，从而确保了该炉的使用寿命。气流导向装置20的一对 通气孔2-3与该炉的一对排气口 13相对设置，缩短了排气管路的长度，利 于提高排气效率。